Alüminyum nitrit seramik parçaları

Alüminyum Nitrür Seramik Parçaları

Elektrik yalıtım özellikleri ve mükemmel ısı iletkenliği sayesinde alüminyum nitrür (AIN) seramikleri, ısı dağıtımı gerektiren uygulamalar için idealdir. Ayrıca silikonunkine yakın bir termal genleşme katsayısına ve mükemmel plazma direncine sahip olduğundan yarı iletken işleme ekipmanlarının bileşenlerinde kullanılır.

Alüminyum nitrür (AIN) seramikleri aşağıda sıralandığı gibi olağanüstü özellikler sergiler:

• İyi mekanik özellikler,
• Al2O3 ve BeO seramiklerine göre daha yüksek eğilme mukavemeti,
• Yüksek sıcaklık ve korozyon direnci.
• İyi elektriksel yalıtım özellikleriyle birlikte yüksek termal iletkenlik.
• Büyük miktarlarda erimiş tuzlara maruz kaldığında olağanüstü stabilite.
• Termal stabilite 1500°C'den az değil.
• Yüksek sıcaklık aralığına yayılan uygun mekanik özellikler.
• Düşük termal genleşme ve termal şoka karşı direnç.
• Özel optik ve akustik özellikler.

İşlemenin oluşumu:

• Seramik enjeksiyon kalıplama
• Düşük basınçlı döküm
• Soğuk izostatik pres
• Kuru pres
• Bant dökümü
• Hassas işleme

Alüminyum nitrür seramik ürünler:

• Yüksek güçlü sistemler için AlN seramik radyatörler
• AlN potası, Al buharlaştırma kabı ve diğer parçalar yüksek sıcaklıkta korozyona dayanıklıdır.
• Doğrudan bağlı bakır (DBC) yüzeyler
• AlN seramik çubuk
• ALN Seramik Waffle
• ALN seramik substrat
• AlN seramik ısıtıcı
• Özel form

Alüminyum nitrür seramik bileşenlerin uygulamaları:

• Yarı iletken teknolojisine yönelik bileşenler
• IC muhafazası
• Termal modül alt katmanı
• Yüksek güçlü transistör modülü alt tabakası
• Yüksek frekanslı cihaz alt katmanı
• Tristör modülleri için ekzotermik yalıtım plakası
• Yarı iletken lazer, ışık yayan diyot (LED) için sabit alt tabaka
• Hibrit entegre modül, ateşleme cihazı modülü
• Yapısal seramiklerin sinterlenmesinde kullanılır.
• AlN Metalleri ve elektronik sigaraları eritmek için pota
• Aydınlık malzemeler için geçerlidir.
• Alt tabaka malzemesine uygulanır

Alüminyum nitrür (AlN), dolaylı bant aralıklı yarı iletkenlere göre daha yüksek fotoelektrik dönüşüm verimliliği sağlayan maksimum 6,2 eV bant aralığına sahiptir. Önemli bir mavi ve ultraviyole ışıldayan malzeme olan AlN, UV/derin UV LED'lerde, ultraviyole lazer diyotlarda ve ultraviyole dedektörlerde kullanılır. Ayrıca AlN, GaN ve InN gibi grup III nitrür bileşikleri ile sürekli katı çözeltiler oluşturabilir ve onun üç veya ikinci dereceden alaşımları, görünürden derin UV aralığına kadar sürekli olarak ayarlanabilir bir bant aralığı sağlayabilir, bu da onu önemli bir yüksek verimli ışıldayan malzeme haline getirir.

AlN kristalleri GaN, AlGaN ve AlN epitaksiyel malzemeler için ideal substratlardır. Safir veya SiC substratlarla karşılaştırıldığında AlN, GaN ile üstün termal uyum ve kimyasal uyumluluğun yanı sıra substrat ile epitaksiyel katman arasında daha düşük voltaj sergiler. Bu nedenle, GaN epitaksiyel substrat olarak bir AlN kristali, cihaz kusur yoğunluğunu önemli ölçüde azaltabilir, cihaz performansını artırabilir ve yüksek sıcaklık, yüksek frekans ve yüksek güçlü elektronik cihazlarda umut verici uygulamalara sahiptir.

Ek olarak, yüksek Al bileşeni olarak AlN kristali içeren AlGaN epitaksiyel malzeme substratı, nitrür epitaksiyel katmanın kusur yoğunluğunu etkili bir şekilde azaltabilir ve nitrür yarı iletken cihazların performansını ve ömrünü önemli ölçüde artırabilir.

ALN seramik substratının ortak özellikleri:

Uzunluk ve genişlik: 25,4 mm; 50,8 mm; 63,5 mm; 76,2 mm; 101,6 mm; 114,3 mm; 127 mm; 152,4 mm.

Kalınlık: 0,25 mm; 0,5 mm; 0,63 mm; 1 mm; 1,5 mm; 2 mm.